MOSFET canal N IXYS 145 A 650 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET

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Code commande RS:
146-4239
Référence fabricant:
IXFN150N65X2
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

145A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

SOT-227

Série

HiperFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

17mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.04KW

Tension directe Vf

1.4V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

335nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

25.07mm

Normes/homologations

No

Longueur

38.23mm

Hauteur

9.6mm

Standard automobile

Non

RDS(ON) et Qg faibles

Diode intégrée rapide

Robustesse de dv/dt

Résistance aux avalanches

Boîtier à faible inductance

Boîtiers standard internationaux

Alimentations à mode de résonance

Ballaste de lampe à décharge haute intensité (HID)

Commandes de moteur c.a. et c.c.

Convertisseurs c.c.-c.c.

Robotique et commande servo

Chargeurs de batterie

Inverseurs solaires à 3 étages

Eclairage LED

Drones

Rendement plus élevé

Puissance élevée et encombrement réduit.

Facile à monter.

Gain de place

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