MOSFET canal N IXYS 192 A 300 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar3

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Code commande RS:
804-7593
Numéro d'article Distrelec:
302-53-368
Référence fabricant:
IXFN210N30P3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

192A

Tension Drain Source maximum Vds

300V

Série

HiperFET, Polar3

Type de Boitier

SOT-227

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

14.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.5KW

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

268nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

9.6mm

Normes/homologations

No

Largeur

25.07mm

Longueur

38.23mm

Standard automobile

Non

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