MOSFET canal N IXYS 145 A 650 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET

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Code commande RS:
146-4398
Numéro d'article Distrelec:
302-53-364
Référence fabricant:
IXFN150N65X2
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

145A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

SOT-227

Série

HiperFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

17mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

335nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.04KW

Tension directe Vf

1.4V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

9.6mm

Largeur

25.07mm

Longueur

38.23mm

Standard automobile

Non

RDS(ON) et Qg faibles

Diode intégrée rapide

Robustesse de dv/dt

Résistance aux avalanches

Boîtier à faible inductance

Boîtiers standard internationaux

Alimentations à mode de résonance

Ballaste de lampe à décharge haute intensité (HID)

Commandes de moteur c.a. et c.c.

Convertisseurs c.c.-c.c.

Robotique et commande servo

Chargeurs de batterie

Inverseurs solaires à 3 étages

Eclairage LED

Drones

Rendement plus élevé

Puissance élevée et encombrement réduit.

Facile à monter.

Gain de place

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