MOSFET IXYS canal N, SOT-227 110 A 850 V, 4 broches

Les transistors MOSFET de puissance classe X Ultra-Junction 850 V avec diodes intégrées rapides représentent une nouvelle gamme de produits de semi-conducteurs de puissance de IXYS Corporation. Ces dispositifs robustes offrent la plus faible résistance à l'état passant du secteur, ce qui permet une très forte densité de puissance dans les applications de conversion de puissance haute tension. Développés à partir du principe de compensation de charge et d'une technologie de procédé propriétaire, les nouveaux dispositifs 850 V présentent les plus faible résistances à l'état passant (33 milliohms dans le boîtier SOT-227 et 41 milliohms dans le PLUS264, par exemple), ainsi que de faibles charges de grille et d'excellentes performances dv/dt.

RDS(ON) de résistance et charge de grille Qg très faibles
Diode intégrée rapide
Robustesse de dv/dt
Résistance aux avalanches
Boîtier à faible inductance
Boîtiers standard internationaux