MOSFET canal N IXYS 53 A 800 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar

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Code commande RS:
194-350
Numéro d'article Distrelec:
302-53-376
Référence fabricant:
IXFN60N80P
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

53A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

SOT-227

Série

HiperFET, Polar

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

140mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.04KW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

250nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

9.6mm

Largeur

25.42mm

Longueur

38.23mm

Standard automobile

Non

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