MOSFET canal N IXYS 40 A 600 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

29,52 €

HT

35,42 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 1 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
  • Plus 171 unité(s) expédiée(s) à partir du 09 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 429,52 €
5 +24,24 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
194-473
Numéro d'article Distrelec:
302-53-375
Référence fabricant:
IXFN48N60P
Marque:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

HiperFET, Polar

Type de Boitier

SOT-227

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

140mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

150nC

Dissipation de puissance maximum Pd

625W

Tension directe Vf

1.5V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

25.42mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.6mm

Longueur

38.23mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
KR

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™


Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Transistors MOSFET, IXYS


Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.