MOSFET canal N IXYS 40 A 600 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar

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194-473
Numéro d'article Distrelec:
302-53-375
Référence fabricant:
IXFN48N60P
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

SOT-227

Série

HiperFET, Polar

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

140mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

150nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

625W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

25.42mm

Hauteur

9.6mm

Longueur

38.23mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
KR

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