MOSFET canal N IXYS 115 A 300 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar

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Code commande RS:
920-0748
Référence fabricant:
IXFN140N30P
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

115A

Tension Drain Source maximum Vds

300V

Type de Boitier

SOT-227

Série

HiperFET, Polar

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

24mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

185nC

Dissipation de puissance maximum Pd

700W

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

38.2mm

Largeur

25.07mm

Hauteur

9.6mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
US

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™


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