MOSFET canal N IXYS 115 A 300 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar

Sous-total (10 unités, dans un tube de 10)*

330,15 €

HT

396,18 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 30 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
10 +33,015 €330,15 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
920-0748
Référence fabricant:
IXFN140N30P
Marque:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

115A

Tension Drain Source maximum Vds

300V

Type de Boitier

SOT-227

Série

HiperFET, Polar

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

24mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

700W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

185nC

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

25.07mm

Normes/homologations

No

Longueur

38.2mm

Hauteur

9.6mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
US

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™


Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Transistors MOSFET, IXYS


Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.