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MOSFET canal N IXYS 115 A 300 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar

Code commande RS:: 193-739
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-363
Référence fabricant:: IXFN140N30P
Marque:: IXYS

MOSFET canal N IXYS 115 A 300 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar

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Code commande RS:: 193-739
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-363
Référence fabricant:: IXFN140N30P
Marque:: IXYS

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	115A
	Tension Drain Source maximum Vds	300V
	Type de Boitier	SOT-227
	Série	HiperFET, Polar
	Type de montage	Panneau
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	24mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	185nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	700W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	25.07mm
	Longueur	38.2mm
	Hauteur	9.6mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 115A
	Tension Drain Source maximum Vds 300V
	Type de Boitier SOT-227
	Série HiperFET, Polar
	Type de montage Panneau
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 185nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 700W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 25.07mm
	Longueur 38.2mm
	Hauteur 9.6mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™

Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Transistors MOSFET, IXYS

Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

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