MOSFET N Infineon 13 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 IMW1
- Code commande RS:
- 222-4858
- Référence fabricant:
- IMW120R220M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
9,60 €
HT
11,52 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,80 € | 9,60 € |
| 10 - 18 | 4,32 € | 8,64 € |
| 20 - 48 | 4,08 € | 8,16 € |
| 50 - 98 | 3,79 € | 7,58 € |
| 100 + | 3,505 € | 7,01 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4858
- Référence fabricant:
- IMW120R220M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | IMW1 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 22mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série IMW1 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 22mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Infineon CoolSiC TM 1 200 V, 220 mΩ SiC dans un boîtier TO247-3 s'artiboîte sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour combiner les performances et la fiabilité. Par rapport aux commutateurs à base de silicium (Si) traditionnels tels que les IGBT et les MOSFET, le MOSFET SiC offre une série d'avantages. Ils incluent les niveaux de charge de grille les plus faibles et de capacité de circuit vus dans les commutateurs de 1 200 V, aucune perte de récupération inverse de la diode interne du corps résistant à la commutation, des pertes de commutation faibles indépendantes de la température et des caractéristiques à l'état passant sans seuil.
Meilleures pertes de conduction et de commutation de classe
Tension de seuil de référence élevée, Vth > 4 V.
Tension de grille de mise hors tension de 0 V pour un entraînement de porte simple et facile
Large plage de tension de source de grille
Diode de corps robuste et à faible perte pour une commutation difficile
Pertes de commutation de mise hors tension indépendantes de la température
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 13 A 1200 V Enrichissement TO-247 IMW1
- MOSFET N Infineon 4.7 A 1200 V Enrichissement TO-247 IMW1
- MOSFET N Infineon 36 A 1200 V Enrichissement TO-247 IMW1
- MOSFET N Infineon 52 A 1700 V Enrichissement TO-247 IMW1
- MOSFET N Infineon 13 A 1200 V Enrichissement TO-247 IMZ1
- MOSFET N Infineon 26 A 1200 V Enrichissement TO-247 IMZ1
- MOSFET N Infineon 52 A 1200 V Enrichissement TO-247 IMZ1
- MOSFET N Infineon 56 A 1200 V Enrichissement TO-247 IMZ1