MOSFET canal N Infineon 52 A 75 V P, 3 broches, TO-247 IMW
- Code commande RS:
- 244-2922
- Référence fabricant:
- IMW120R090M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 240 + | 3,072 € | 737,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-2922
- Référence fabricant:
- IMW120R090M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 52A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | IMW | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | P | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 52A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série IMW | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal P | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Infineon IMW120R090M1HXKSA1 dans un boîtier TO247-3 s'artiboîte sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour combiner les performances et la fiabilité. Par rapport aux commutateurs à base de silicium (Si) traditionnels tels que les IGBT et les MOSFET, le MOSFET SiC offre une série d'avantages. Ils incluent les niveaux de charge de grille les plus faibles et de capacité de circuit vus dans les commutateurs de 1 200 V, aucune perte de récupération inverse de la diode interne du corps résistant à la commutation, des pertes de commutation faibles indépendantes de la température et des caractéristiques à l'état passant sans seuil.
Très faibles pertes de commutation
Caractéristique d'état sans seuil
Large plage de tension de source de grille
Tension de seuil de grille de référence, VGS(th) = 4,5 V.
Tension de grille de mise hors tension de 0 V pour un entraînement de porte simple et facile
DV/dt entièrement contrôlable
Diode de corps robuste pour une commutation difficile
Pertes de commutation de mise hors tension indépendantes de la température
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