MOSFET Infineon canal N, TO-247 26 A 1200 V, 3 broches

Le transistor MOSFET Infineon IMW120R090M1HXKSA1 dans un boîtier TO247-3 s'artiboîte sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour combiner les performances et la fiabilité. Par rapport aux commutateurs à base de silicium (Si) traditionnels tels que les IGBT et les MOSFET, le MOSFET SiC offre une série d'avantages. Ils incluent les niveaux de charge de grille les plus faibles et de capacité de circuit vus dans les commutateurs de 1 200 V, aucune perte de récupération inverse de la diode interne du corps résistant à la commutation, des pertes de commutation faibles indépendantes de la température et des caractéristiques à l'état passant sans seuil.

Très faibles pertes de commutation
Caractéristique d'état sans seuil
Large plage de tension de source de grille
Tension de seuil de grille de référence, VGS(th) = 4,5 V.
Tension de grille de mise hors tension de 0 V pour un entraînement de porte simple et facile
DV/dt entièrement contrôlable
Diode de corps robuste pour une commutation difficile
Pertes de commutation de mise hors tension indépendantes de la température