MOSFET canal N Infineon 52 A 1.2 kV Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolSiC AEC-Q101
- Code commande RS:
- 233-3486
- Référence fabricant:
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 240 unités)*
6 007,68 €
HT
7 209,12 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 23 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 240 + | 25,032 € | 6 007,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 233-3486
- Référence fabricant:
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 52A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 35mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 228W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 59nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Tension directe Vf | 5.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 16.3mm | |
| Largeur | 21.5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 5.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 52A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Série CoolSiC | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 35mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 228W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 59nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Tension directe Vf 5.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 16.3mm | ||
Largeur 21.5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 5.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Les MOSFET Infineon CoolSiC pour la famille automobile ont été développés pour les applications de chargeur intégré et c.c. actuelles et futures dans les véhicules hybrides et électriques. Il est doté d'un courant de drain de 52 A.
Amélioration du rendement
Activation d'une fréquence plus élevée
Densité de puissance accrue
Réduction de l'effort de refroidissement
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 52 A 1200 V Enrichissement TO-247 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 33 A 1200 V Enrichissement TO-247 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 36 A 1200 V Enrichissement TO-247 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 52 A 75 V TO-247 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 17 A 1200 V Enrichissement PG-TO-247-4-STD-NT6.7 CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- MOSFET canal N Infineon 31 A 1200 V Enrichissement PG-TO-247-4-STD-NT6.7 CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- MOSFET canal N Infineon 38 A 1200 V Enrichissement PG-TO-247-4-STD-NT6.7 CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- MOSFET canal N Infineon 55 A 1200 V Enrichissement PG-TO-247-4-STD-NT6.7 CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100