MOSFET canal N Infineon 52 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolSiC AEC-Q101

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Code commande RS:
233-3486
Référence fabricant:
AIMW120R035M1HXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

52A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolSiC

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

35mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

228W

Tension directe Vf

5.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

23V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

59nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

16.3mm

Largeur

21.5mm

Normes/homologations

No

Hauteur

5.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Les MOSFET Infineon CoolSiC pour la famille automobile ont été développés pour les applications de chargeur intégré et c.c. actuelles et futures dans les véhicules hybrides et électriques. Il est doté d'un courant de drain de 52 A.

Amélioration du rendement

Activation d'une fréquence plus élevée

Densité de puissance accrue

Réduction de l'effort de refroidissement

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