MOSFET canal N Infineon 33 A 1.2 kV Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolSiC AEC-Q101

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Code commande RS:
233-3490
Référence fabricant:
AIMW120R080M1XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

33A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Série

CoolSiC

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

80mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

5.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28nC

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

5.3mm

Largeur

21.5mm

Normes/homologations

No

Longueur

16.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Les MOSFET Infineon CoolSiC pour la famille automobile ont été développés pour les applications de chargeur intégré et de c.c. actuelles et futures dans les véhicules hybrides et électriques. Il est doté d'un courant de drain de 33 A.

Amélioration du rendement

Activation d'une fréquence plus élevée

Densité de puissance accrue

Réduction de l'effort de refroidissement

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