MOSFET canal N Infineon 36 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolSiC AEC-Q101

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Code commande RS:
233-3489
Référence fabricant:
AIMW120R060M1HXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

36A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Série

CoolSiC

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

60mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

31nC

Tension directe Vf

5.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

23V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

5.3mm

Largeur

21.5mm

Normes/homologations

No

Longueur

16.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Les MOSFET Infineon CoolSiC pour la famille automobile ont été développés pour les applications de chargeur intégré et de c.c. actuelles et futures dans les véhicules hybrides et électriques. Il est doté d'un courant de drain de 36 A.

Amélioration du rendement

Activation d'une fréquence plus élevée

Densité de puissance accrue

Réduction de l'effort de refroidissement

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