MOSFET N Toshiba 9 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-3PN TK

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Code commande RS:
796-5153
Référence fabricant:
TK9J90E
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

900V

Série

TK

Type de Boitier

TO-3PN

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.3Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Tension directe Vf

-1.7V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

20mm

Longueur

15.5mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N, séries TK8 et TK9, Toshiba


Transistors MOSFET, Toshiba


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