MOSFET N Toshiba 31 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-3PN DTMOSIV

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Code commande RS:
896-2331
Référence fabricant:
TK31J60W5,S1VQ(O
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

31A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

DTMOSIV

Type de Boitier

TO-3PN

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

99mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

105nC

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Tension directe Vf

-1.7V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

15.5mm

Hauteur

20mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba


Transistors MOSFET, Toshiba


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