MOSFET canal N Toshiba 30.8 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 DTMOSIV

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Code commande RS:
125-0563
Référence fabricant:
TK31E60X,S1X(S
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30.8A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

DTMOSIV

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

88mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

65nC

Tension directe Vf

-1.7V

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.45mm

Longueur

10.16mm

Normes/homologations

No

Hauteur

15.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
JP

Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba


Transistors MOSFET, Toshiba


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