MOSFET canal N Toshiba 60 A 120 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 TK

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Code commande RS:
827-6191
Référence fabricant:
TK32E12N1,S1X(S
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

120V

Série

TK

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

13.8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

34nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

98W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

15.1mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.45mm

Longueur

10.16mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba


Transistors MOSFET, Toshiba


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