MOSFET canal N Toshiba 105 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 TK

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Code commande RS:
168-7779
Référence fabricant:
TK58E06N1
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

105A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-220

Série

TK

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

5.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

-1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

15.1mm

Longueur

10.16mm

Largeur

4.45mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
JP

Transistors MOSFET, Toshiba


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