MOSFET canal N Toshiba 100 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 TK

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Code commande RS:
891-2853
Référence fabricant:
TK100A06N1,S4X(S
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

TK

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

140nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

4.5mm

Hauteur

15mm

Longueur

10mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistors MOSFET, Toshiba


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