MOSFET canal N Toshiba 10 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 TK
- Code commande RS:
- 896-2647
- Référence fabricant:
- TK10A80E,S4X(S
- Marque:
- Toshiba
Temporairement en rupture de stock
- Code commande RS:
- 896-2647
- Référence fabricant:
- TK10A80E,S4X(S
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | TK | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 50W | |
| Tension directe Vf | -1.7V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10mm | |
| Hauteur | 15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série TK | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 50W | ||
Tension directe Vf -1.7V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10mm | ||
Hauteur 15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors MOSFET, Toshiba
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