MOSFET canal N Toshiba 60 A 120 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 TK
- Code commande RS:
- 168-7971
- Référence fabricant:
- TK32E12N1,S1X(S
- Marque:
- Toshiba
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 250 de plus pour économiser 14%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
41,65 €
HT
50,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 12 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* | Économie |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,833 € | 41,65 € | - |
| 250 - 950 | 0,712 € | 35,60 € | 14% |
| 1000 - 2450 | 0,694 € | 34,70 € | 16% |
| 2500 + | 0,677 € | 33,85 € | 18% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-7971
- Référence fabricant:
- TK32E12N1,S1X(S
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 120V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | TK | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 98W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 15.1mm | |
| Longueur | 10.16mm | |
| Largeur | 4.45mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 120V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série TK | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 98W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 15.1mm | ||
Longueur 10.16mm | ||
Largeur 4.45mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
Transistors MOSFET, Toshiba
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Toshiba 60 A 120 V Enrichissement TO-220 TK
- MOSFET canal N Toshiba 72 A 120 V Enrichissement TO-220 TK
- MOSFET canal N Toshiba 90 A 100 V Enrichissement TO-220 TK
- MOSFET canal N Toshiba 42 A 120 V Enrichissement TO-220 TK
- MOSFET canal N Toshiba 56 A 120 V Enrichissement TO-220 TK
- MOSFET canal N Toshiba 105 A 60 V Enrichissement TO-220 TK
- MOSFET canal N Toshiba 207 A 100 V Enrichissement TO-220 TK
- MOSFET canal N Toshiba 43 A 60 V Enrichissement TO-220 TK