MOSFET canal N Toshiba 157 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 U-MOSVIII-H
- Code commande RS:
- 125-0591
- Référence fabricant:
- TK72E08N1,S1X(S
- Marque:
- Toshiba
Temporairement en rupture de stock
- Code commande RS:
- 125-0591
- Référence fabricant:
- TK72E08N1,S1X(S
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 157A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | U-MOSVIII-H | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | -1.7V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 192W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 81nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.16mm | |
| Hauteur | 15.1mm | |
| Largeur | 4.45mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 157A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série U-MOSVIII-H | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf -1.7V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 192W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 81nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.16mm | ||
Hauteur 15.1mm | ||
Largeur 4.45mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- JP
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
Transistors MOSFET, Toshiba
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