MOSFET canal N Toshiba 15 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 U-MOSVIII-H
- Code commande RS:
- 133-2798
- Référence fabricant:
- TK15S04N1L,LQ(O
- Marque:
- Toshiba
Temporairement en rupture de stock
- Code commande RS:
- 133-2798
- Référence fabricant:
- TK15S04N1L,LQ(O
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 15A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | U-MOSVIII-H | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 37mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 46W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Largeur | 5.5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 15A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série U-MOSVIII-H | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 37mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 46W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.5mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Largeur 5.5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- JP
Transistors MOSFET, Toshiba
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