MOSFET 1 canal N Simple Toshiba 31 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TSON U-MOSVIII-H
- Code commande RS:
- 133-2811
- Référence fabricant:
- TPN11003NL,LQ(S
- Marque:
- Toshiba
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 133-2811
- Référence fabricant:
- TPN11003NL,LQ(S
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TSON | |
| Série | U-MOSVIII-H | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 19W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Hauteur | 850μm | |
| Longueur | 3.1mm | |
| Largeur | 3.1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TSON | ||
Série U-MOSVIII-H | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 19W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Hauteur 850μm | ||
Longueur 3.1mm | ||
Largeur 3.1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
- Pays d'origine :
- JP
Transistors MOSFET, Toshiba
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