MOSFET Toshiba canal N, TSON 31 A 30 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 133-2811
- Référence fabricant:
- TPN11003NL,LQ(S
- Marque:
- Toshiba
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0,269 €
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TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,269 € | 5,38 € |
| 100 - 180 | 0,228 € | 4,56 € |
| 200 - 980 | 0,211 € | 4,22 € |
| 1000 - 1980 | 0,204 € | 4,08 € |
| 2000 + | 0,197 € | 3,94 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 133-2811
- Référence fabricant:
- TPN11003NL,LQ(S
- Marque:
- Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- JP
Détail produit
Transistors MOSFET, Toshiba
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 31 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Série | U-MOSVIII-H |
| Type de boîtier | TSON |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 16 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.3V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.3V |
| Dissipation de puissance maximum | 19 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Largeur | 3.1mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 3.1mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 7,5 nC @ 10 V |
| Hauteur | 0.85mm |
| Tension directe de la diode | 1.2V |
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