Références fabricant

MOSFET N Toshiba 15.8 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-3P DTMOSIV

Code commande RS:: 891-2917
Référence fabricant:: TK16J60W,S1VQ(O
Marque:: Toshiba

MOSFET N Toshiba 15.8 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-3P DTMOSIV

Temporairement en rupture de stock

Code commande RS:: 891-2917
Référence fabricant:: TK16J60W,S1VQ(O
Marque:: Toshiba

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type N
	Courant continu de Drain maximum Id	15.8A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Série	DTMOSIV
	Type de Boitier	TO-3P
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	190mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	38nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	130W
	Tension directe Vf	-1.7V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	20mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	15.5mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type N
	Courant continu de Drain maximum Id 15.8A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Série DTMOSIV
	Type de Boitier TO-3P
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 38nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 130W
	Tension directe Vf -1.7V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 20mm
	Normes/homologations No
	Longueur 15.5mm
	Standard automobile Non

TK16J60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET

MOSFET N Toshiba 15.8 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-3P DTMOSIV

Transistors MOSFET, Toshiba

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