MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 15,8 A 600 V, 3 broches

Name: MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 15,8 A 600 V, 3 broches
Brand: Toshiba
SKU: 891-2917
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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	15,8 A
Tension Drain Source maximum	600 V
Type de boîtier	TO-3PN
Série	TK
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	190 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.7V
Dissipation de puissance maximum	130 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	4.5mm
Charge de Grille type @ Vgs	38 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	15.5mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	20mm
Tension directe de la diode	1.7V