Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes d’appauvrissement et d’enrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous d’électron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 871-4930
Référence fabricantMDF9N50BTH
MarqueMagnaChip
0,688 €
l'unité (en tube de 10)
Unité
N 9 A 500 V TO-220F Traversant - 3 850 mΩ Enrichissement 4V - 38 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 171-1991
Référence fabricantIPT015N10N5ATMA1
MarqueInfineon
6,208 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
- - - - - - - - - - - - - -
Code commande RS 791-9305
Référence fabricantSTD7N80K5
0,716 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 6 A 800 V DPAK (TO-252) CMS - 3 1,2 Ω Enrichissement 5V 3V 110 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 760-9761
Référence fabricantSTU75N3LLH6
0,808 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 75 A 30 V TO-251 Traversant - 3 8,4 mΩ Enrichissement 2.5V 1V 60 W - -20 V, +20 V
Code commande RS 166-2702
Référence fabricantFDG6306P
0,10 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 600 mA 20 V SOT-363 (SC-70) CMS - 6 700 mΩ Enrichissement - 0.6V 300 mW Isolé -12 V, +12 V
Code commande RS 780-0541
Référence fabricantNTD5802NT4G
1,088 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 100 A 40 V DPAK (TO-252) CMS - 3 7,8 mΩ Enrichissement 3.5V - 93,75 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 183-5002
Référence fabricantQS5U33TR
MarqueROHM
0,251 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
P 2 A 30 V TSMT CMS - 5 225 mΩ Enrichissement 2.5V 1V 900 mW Simple ±20 V
Code commande RS 146-4716
Référence fabricantDMP6110SFDF-7
MarqueDiodesZetex
0,131 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 4,2 A 60 V U-DFN2020 CMS - 6 130 mΩ Enrichissement 3V 1V 1,97 W Simple ±20 V
Code commande RS 171-2390
Référence fabricantTPN2R304PL
MarqueToshiba
0,442 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 100 A 40 V TSON CMS - 8 4 mΩ Enrichissement 2.4V 1.4V 104 W Simple ±20 V
Nouveau
Code commande RS 200-6834
Référence fabricantSI2393DS-T1-GE3
MarqueVishay
0,099 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 7,5 A 30 V SOT-23 - - 3 0,033 O, 0,0227 O Enrichissement 2.2V - - - -
Code commande RS 153-0757
Référence fabricantPMN42XPEAX
MarqueNexperia
0,131 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P -5,7 A -20 V SC-74, SOT457 CMS - 6 64 mΩ Enrichissement -1.25V -0.75V 8330 mW Simple 12 Mo
Code commande RS 178-3700
Référence fabricantSiSS04DN-T1-GE3
0,573 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 80 A 30 V 1 212 CMS - 8 1 mΩ Enrichissement 1V 2.2V 65,7 W Simple -12 V, +16 V
Code commande RS 136-4804
Référence fabricantNX3008NBKW,115
MarqueNexperia
0,038 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 350 mA 30 V SOT-323 (SC-70) CMS - 3 1,4 Ω Enrichissement 1.1V 0.6V 830 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 170-2360
Référence fabricantBSR606NH6327XTSA1
MarqueInfineon
0,44 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 2,3 A 60 V SC-59 CMS - 3 90 mΩ Enrichissement 2.3V 1.3V 500 mW Simple 20 V
Nouveau
Code commande RS 200-6863
Référence fabricantSiR106ADP-T1-RE3
MarqueVishay
0,62 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 65,8 A 100 V PowerPak SO-8 - - 8 0,008 O, 0,009 O Enrichissement 4V - - - -
Code commande RS 145-8600
Référence fabricantIPW60R190P6FKSA1
MarqueInfineon
2,204 €
l'unité (en tube de 30)
Unité
N 20 A 650 V A-247 Traversant - 3 190 mΩ Enrichissement 4.5V 3.5V 151 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 738-7672
Référence fabricantD1013UK
MarqueSemelab
30,00 €
la pièce
Unité
N 5 A 70 V Bipolaire Montage panneau - 3 - Enrichissement 7V - 50 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 146-4406
Référence fabricantIXFH80N25X3
MarqueIXYS
8,12 €
la pièce
Unité
N 80 A 250 V A-247 Traversant - 3 16 mΩ Enrichissement 4.5V 2.5V 390 W Simple ±20 V
Code commande RS 189-0261
Référence fabricantNTMTS001N06CTXG
1,845 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 376 A 60 V Puissance 88 CMS - 8 910 μΩ Enrichissement 4V 2V 244 W Simple ±20 V
Code commande RS 188-5097
Référence fabricantSIRA99DP-T1-GE3
MarqueVishay
2,308 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 195 A 30 V PowerPAK SO CMS - 8 2,6 mΩ Enrichissement 2.5V 1V 104 W Simple -20 V, +16 V.