Infineon, BTS3207NHUMA1 Low Side

Transistor FET de puissance vertical à canal N d'Infineon dans la technologie SIPMOS intelligente. Il est entièrement protégé par des fonctions de protection intégrées. Il est utilisé dans une grande variété d'applications telles que toutes sortes de charges résistives, inductives et capacitives dans les applications de commutation ou linéaires, le commutateur d'alimentation compatible μC pour les applications 12 V c.c., il remplace également les relais électromécaniques et les circuits discrets.

Démagnétisation rapide des charges inductives
Compatibilité électromagnétique (CEM) optimisée
Protection contre les surcharges, limitation de courant, protection contre les courts-circuits et shutdown thermique avec redémarrage
Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) et possibilité de pilotage analogique