Clé USB Samsung Clé USB BAR Plus, 512 GB, USB 3.2

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Code commande RS:
566-883
Référence fabricant:
MUF-512BE3/APC
Marque:
Samsung
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Marque

Samsung

Capacité

512 GB

Modèle

Clé USB BAR Plus

Spécifications USB

USB 3.2

Pays d'origine :
TW

Redresseurs à récupération ultra-rapide 2 à 5 A, Vishay Semiconductor


Fonctionnalités
Jonction de circuit passivé en verre,
• Temps de récupération inverse ultraplat,
Faible chute de tension directe,
Faibles pertes de commutation, haut rendement,
Capacité de surtension directe élevée,
Trempage à souder 275 °C max. 10 s, conformément à JESD 22-B106,

Applications types
Pour une utilisation dans les applications de rectification haute fréquence et de roue libre dans les convertisseurs et inverseurs de mode de commutation pour le grand public, l'ordinateur et les télécommunications.

Données mécaniques
Boîtier : le composé de moulage DO-201AD est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94 V-0 Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, qualité commerciale
Bornes : les cordons étamés mat, soudables conformément à J-STD-002 et le suffixe JESD 22-B102 E3 répondent aux exigences du test de chuchotement JESD 201 classe 1A.
Polarité : la bande de couleur indique l'extrémité de la cathode

La clé USB de Samsung est un périphérique de stockage de masse USB 3.2 Gen1 offrant des performances remarquables, une fiabilité exceptionnelle et un design minimaliste pour répondre aux besoins de mémoire de demain. Il offre une grande capacité et un stockage rapide, ce qui permet de conserver vos données en toute sécurité et de les rendre accessibles. Il est compatible avec les systèmes d'exploitation modernes tels que Windows, Mac OS, Linux, etc. Le disque fonctionne avec n'importe quel appareil doté d'un port USB 3.1 et prend en charge la rétrocompatibilité avec l'USB 3.0 et l'USB 2.0.

Prise en charge de la fonction Plug and Play
La vitesse du bus est compatible avec les modes haute vitesse et pleine vitesse
Résistant à l'eau et à la température
Magnétique et résistant aux chocs


Diodes et redresseurs, Vishay Semiconductor

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