Circuit à logique programmable complexe Microchip 16V8 8 Cellules, 18 I/O, 8 Labs, 10 ns Programmable in situ 20 broches

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Code commande RS:
177-1500
Référence fabricant:
ATF16V8B-10JU
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Type de produit

Circuit à logique programmable complexe

Série

16V8

Nombre de cellules macro

8

Nombre d'E/S utilisateurs

18

Délai de propagation maximum

10ns

Nombre de blocs/éléments logique

8

Programmable in situ

Oui

Type de montage

Surface

Type de Boitier

PLCC

Tension d'alimentation minimum

4.5V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Nombre de broches

20

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Contrôle "Output Enable" individuel

Oui

Longueur

9.04mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.06mm

Largeur

9.04 mm

Support de reprogrammation

Oui

Standard automobile

Non

L'Atmel® ATF16V8B(QL) est un circuit logique programmable électriquement effaçable (EE PLD) CMOS à hautes performances qui utilise la technologie éprouvée de mémoire Flash électriquement effaçable d'Atmel. Toutes les plages de vitesse sont spécifiées sur toute la plage de 5 V 10 % pour la plage de température industrielle. L'ATF16V8BQL fournit une solution de PLD faible consommation à détection de bord avec une faible consommation en veille (5 mA typique). L'ATF16V8BQL se met hors tension automatiquement au mode faible consommation grâce au circuit de détection de transition d'entrée (DTI) lorsque le circuit est en mode veille.

Caractéristiques :

Architecture standard

Emulation de nombreux PAL® 20 broches

Outils logiciels économiques faciles à utiliser

Circuits logiques programmables électriquement effaçables à haute vitesse

Durée de broche à broche maximum de 10 ns

Veille de 5 mA automatique pour ATF16V8SLQ

Entrées et sorties compatible TTL et CMOS

Résistances de démarrage d'entrée et d'E/S

Technologie Flash avancée

Reprogrammable

100 % testé

Procédé CMOS haute fiabilité

20 ans de conservation des données

100 cycles d'effacement/écriture

Protection ESD de 2 000 V

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