Jonction au silicium Non Nexperia, Simple, 200 mA 75 V, 2 broches, SOD-323
- Code commande RS:
- 508-286
- Référence fabricant:
- BAS416,115
- Marque:
- Nexperia
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- Code commande RS:
- 508-286
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- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 200mA | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Surface | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | SOD-323 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250mW | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 75V | |
| Tension directe maximale Vf | 1.25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 1.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | BAS416 | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Largeur | 1.35 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 200mA | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Type de montage Surface | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier SOD-323 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250mW | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 75V | ||
Tension directe maximale Vf 1.25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 1.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série BAS416 | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Largeur 1.35 mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Diodes de commutation petits signaux, Nexperia
Caractéristiques
Prend en charge les conceptions personnalisées de circuits à haute densité
Types à faible fuite et haute tension disponibles
Grandes vitesses de commutation
Capacité faible