Jonction au silicium Non Nexperia, Série, 200 mA 100 V, 6 broches, SC-88
- Code commande RS:
- 509-633
- Référence fabricant:
- BAV99S,115
- Marque:
- Nexperia
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,078 € | 7,80 € |
| 500 - 900 | 0,072 € | 7,20 € |
| 1000 + | 0,068 € | 6,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 509-633
- Référence fabricant:
- BAV99S,115
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Configuration de diode | Série | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Courant direct maximum If | 200mA | |
| Type de montage | En surface | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | SC-88 | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 100V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250mW | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Tension directe maximale Vf | 1.25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | BAV99 | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Configuration de diode Série | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Courant direct maximum If 200mA | ||
Type de montage En surface | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier SC-88 | ||
Nombre de broches 6 | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 100V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250mW | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Tension directe maximale Vf 1.25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Série BAV99 | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 2.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Diodes de commutation haute vitesse fabriquées à l'aide de la technologie planaire avec une vitesse de commutation maximum de 4 ns. Prend en charge les conceptions de circuit haute densité personnalisées, encapsulées dans un boîtier scellé hermétiquement.
Diodes de commutation haute vitesse, encapsulées dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS).
Grande vitesse de commutation : trr ≤4 ns
Faible capacité : Cd ≤1,5 pF
Faible courant de fuite
Tension inverse : VR ≤ 100 V
Petits boîtiers en plastique CMS
Applications
Commutation haute vitesse
Commutation à usage général
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