Diode Schottky AEC-Q101 STMicroelectronics, Simple, 12 A 650 V, 2 broches, TO-220AC
- Code commande RS:
- 800-469
- Référence fabricant:
- STPSC12G065DY
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 1 - 9 | 3,76 € |
| 10 - 99 | 2,46 € |
| 100 - 499 | 1,91 € |
| 500 - 999 | 1,61 € |
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- Code commande RS:
- 800-469
- Référence fabricant:
- STPSC12G065DY
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode Schottky | |
| Courant direct maximum If | 12A | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) | |
| Type de Boitier | TO-220AC | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension directe maximale Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 80A | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | ECOPACK2 | |
| Largeur | 4.5mm | |
| Hauteur | 29.75mm | |
| Série | STPSC12G065DY | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Diamètre | 3.85mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode Schottky | ||
Courant direct maximum If 12A | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) | ||
Type de Boitier TO-220AC | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension directe maximale Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 80A | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations ECOPACK2 | ||
Largeur 4.5mm | ||
Hauteur 29.75mm | ||
Série STPSC12G065DY | ||
Longueur 10.4mm | ||
Diamètre 3.85mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le redresseur Schottky de puissance ultra haute performance de STMicroelectronics. Il est fabriqué à partir d'un substrat de carbure de silicium. Le matériau à large écartement de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 650 V.
Homologué AEC-Q101 et compatible PPAP
Charge de récupération inverse nulle ou négligeable dans la plage de courant d'application
Comportement de commutation indépendant de la température
Capacité de surtension élevée
Fonctionnement Tj de -55 °C à +175 °C
Composant conforme à ECOPACK2
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