Diode Schottky AEC-Q101 STMicroelectronics, Simple, 12 A 650 V, 2 broches, TO-220AC
- Code commande RS:
- 800-469
- Référence fabricant:
- STPSC12G065DY
- Marque:
- STMicroelectronics
Visuel non contractuel
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
3,76 €
HT
4,51 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,76 € |
| 10 - 99 | 2,46 € |
| 100 - 499 | 1,91 € |
| 500 - 999 | 1,61 € |
| 1000 + | 1,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 800-469
- Référence fabricant:
- STPSC12G065DY
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Diode Schottky | |
| Courant direct maximum If | 12A | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) | |
| Type de Boitier | TO-220AC | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 80A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe maximale Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | STPSC12G065DY | |
| Hauteur | 29.75mm | |
| Normes/homologations | ECOPACK2 | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Largeur | 4.5mm | |
| Diamètre | 3.85mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Diode Schottky | ||
Courant direct maximum If 12A | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) | ||
Type de Boitier TO-220AC | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 80A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe maximale Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série STPSC12G065DY | ||
Hauteur 29.75mm | ||
Normes/homologations ECOPACK2 | ||
Longueur 10.4mm | ||
Largeur 4.5mm | ||
Diamètre 3.85mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le redresseur Schottky de puissance ultra haute performance de STMicroelectronics. Il est fabriqué à partir d'un substrat de carbure de silicium. Le matériau à large écartement de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 650 V.
Homologué AEC-Q101 et compatible PPAP
Charge de récupération inverse nulle ou négligeable dans la plage de courant d'application
Comportement de commutation indépendant de la température
Capacité de surtension élevée
Fonctionnement Tj de -55 °C à +175 °C
Composant conforme à ECOPACK2
Nos clients ont également consulté
- Diode Schottky STMicroelectronics Diode Schottky Simple , 20 A Traversant 2 broches TO-220AC
- Diode Schottky STMicroelectronics Diode Schottky Simple , 10 A Traversant 2 broches TO-220AC
- Diode STMicroelectronics Diode Schottky Simple , 22 A Traversant 2 broches TO-220AC
- Diode STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium , 8 A Traversant 2 broches TO-220AC
- Diode STMicroelectronics Diode Schottky Simple , 12 A Traversant 2 broches TO-220AEC-Q101
- Diode Schottky et de redressement Vishay Diode Schottky Simple , 4 A En surface 3 broches TO-220AC 2L
- Diode Schottky et de redressement Vishay Diode Schottky Simple , 12 A En surface 3 broches TO-220AC 2L
- Diode Schottky et de redressement Vishay Diode Schottky Simple , 6 A En surface 3 broches TO-220AC 2L