Diode Schottky AEC-Q101 STMicroelectronics, Simple, 12 A 650 V, 2 broches, TO-220AC
- Code commande RS:
- 800-469
- Référence fabricant:
- STPSC12G065DY
- Marque:
- STMicroelectronics
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 800-469
- Référence fabricant:
- STPSC12G065DY
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 12A | |
| Type de produit | Diode Schottky | |
| Sous type | Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-220AC | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension directe maximale Vf | 1.3V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 80A | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | STPSC12G065DY | |
| Largeur | 4.5mm | |
| Normes/homologations | ECOPACK2 | |
| Diamètre | 3.85mm | |
| Hauteur | 29.75mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 12A | ||
Type de produit Diode Schottky | ||
Sous type Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-220AC | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension directe maximale Vf 1.3V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 80A | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série STPSC12G065DY | ||
Largeur 4.5mm | ||
Normes/homologations ECOPACK2 | ||
Diamètre 3.85mm | ||
Hauteur 29.75mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le redresseur Schottky de puissance ultra haute performance de STMicroelectronics. Il est fabriqué à partir d'un substrat de carbure de silicium. Le matériau à large écartement de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 650 V.
Homologué AEC-Q101 et compatible PPAP
Charge de récupération inverse nulle ou négligeable dans la plage de courant d'application
Comportement de commutation indépendant de la température
Capacité de surtension élevée
Fonctionnement Tj de -55 °C à +175 °C
Composant conforme à ECOPACK2
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