Diode Non onsemi, Simple, 300 mA 100 V, 2 broches, DO-35
- Code commande RS:
- 838-676
- Référence fabricant:
- 1N4448TR
- Marque:
- onsemi
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 5000 de plus pour économiser 15,00 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 500 unités)*
9,50 €
HT
11,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 31 janvier 2028
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* | Économie |
|---|---|---|---|
| 500 - 4500 | 0,019 € | 9,50 € | - |
| 5000 - 24500 | 0,016 € | 8,00 € | 15,00 € |
| 25000 - 49500 | 0,012 € | 6,00 € | 175,00 € |
| 50000 + | 0,011 € | 5,50 € | 400,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 838-676
- Référence fabricant:
- 1N4448TR
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Diode | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 300mA | |
| Sous type | Diode à faibles signaux | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | DO-35 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 100V | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Diamètre | 1.91mm | |
| Longueur | 4.56mm | |
| Série | 1N4 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Diode | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 300mA | ||
Sous type Diode à faibles signaux | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier DO-35 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 100V | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Diamètre 1.91mm | ||
Longueur 4.56mm | ||
Série 1N4 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La diode à petit signal d'Onsemi est conçue pour un redressement efficace dans divers circuits électroniques, offrant des performances et une fiabilité robustes dans diverses conditions.
La tension inverse répétitive maximale nominale de 100 V garantit la fiabilité de l'appareil
Les capacités de courant direct atteignent 300 mA pour des applications polyvalentes
Le boîtier compact DO-204AH (DO-35) permet une intégration facile
Le faible courant de fuite inverse contribue à améliorer l'efficacité
Nos clients ont également consulté
- Diode Non onsemi 300 mA 100 V DO-35
- Diode de silicium Non Vishay 300 mA 75 V DO-35
- Diode de commutation Non Vishay 300 mA 50 V DO-35
- Diode de commutation Non Vishay 300 mA 25 V DO-35
- Diode onsemi Petit signaux Simple 4 ns, 300 mA Traversant 2 broches DO-35
- Jonction au silicium Non onsemi 200 mA DO-35
- Diode à faibles signaux onsemi Petit signaux Simple 4 ns, 300 mA Traversant 2 broches DO-35
- Diode Zener 1 onsemi, Simple DO-35 2 broches