Diode Non onsemi, Simple, 300 mA 100 V, 2 broches, DO-35
- Code commande RS:
- 838-676
- Référence fabricant:
- 1N4448TR
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 500 unités)*
9,50 €
HT
11,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 novembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 500 - 4500 | 0,019 € | 9,50 € |
| 5000 - 24500 | 0,016 € | 8,00 € |
| 25000 - 49500 | 0,012 € | 6,00 € |
| 50000 + | 0,011 € | 5,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 838-676
- Référence fabricant:
- 1N4448TR
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant direct maximum If | 300mA | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode | |
| Sous type | Diode à faibles signaux | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | DO-35 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 100V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Diamètre | 1.91mm | |
| Longueur | 4.56mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | 1N4 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant direct maximum If 300mA | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode | ||
Sous type Diode à faibles signaux | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier DO-35 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 100V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Diamètre 1.91mm | ||
Longueur 4.56mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série 1N4 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La diode à petit signal d'Onsemi est conçue pour un redressement efficace dans divers circuits électroniques, offrant des performances et une fiabilité robustes dans diverses conditions.
La tension inverse répétitive maximale nominale de 100 V garantit la fiabilité de l'appareil
Les capacités de courant direct atteignent 300 mA pour des applications polyvalentes
Le boîtier compact DO-204AH (DO-35) permet une intégration facile
Le faible courant de fuite inverse contribue à améliorer l'efficacité
Nos clients ont également consulté
- Diode Non onsemi 300 mA 100 V DO-35
- Diode de silicium Non Vishay 300 mA 75 V DO-35
- Diode de commutation Non Vishay 300 mA 25 V DO-35
- Diode de commutation Non Vishay 300 mA 50 V DO-35
- Diode onsemi Petit signaux Simple 4 ns, 300 mA Traversant 2 broches DO-35
- Diode à faibles signaux onsemi Petit signaux Simple 4 ns, 300 mA Traversant 2 broches DO-35
- Jonction au silicium Non onsemi 200 mA DO-35
- Diode onsemi Recouvrement rapide Simple 35 ns, 1 A En surface 2 broches DO-214AC