Jonction au silicium Non Nexperia, Isolé, 215 mA 75 V, 4 broches, SOT-143
- Code commande RS:
- 103-7549
- Référence fabricant:
- BAS28,215
- Marque:
- Nexperia
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,034 € | 102,00 € |
| 9000 + | 0,033 € | 99,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 103-7549
- Référence fabricant:
- BAS28,215
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Configuration de diode | Isolé | |
| Courant direct maximum If | 215mA | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOT-143 | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 75V | |
| Tension directe maximale Vf | 1.25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250mW | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Série | BAS28 | |
| Longueur | 3mm | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Configuration de diode Isolé | ||
Courant direct maximum If 215mA | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOT-143 | ||
Nombre de broches 4 | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 75V | ||
Tension directe maximale Vf 1.25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250mW | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Série BAS28 | ||
Longueur 3mm | ||
Largeur 1.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
Solutions pour les systèmes haute tension. Fabriquées en technologie planaire, nos diodes ≥ 100 V offrent une vitesse de commutation jusqu'à 4 ns (max.). Elles prennent en charge les conceptions de circuit haute densité personnalisées, encapsulées dans un boîtier scellé hermétiquement.
La série BAS28 se compose de deux diodes de commutation rapide utilisant la technologie planaire, et est encapsulée dans le petit boîtier CMS en plastique SOT143. Les diodes ne sont pas connectées.
Petit boîtier CMS en plastique
Grande vitesse de commutation : max. 4 ns
Tension inverse continue : max. 75 V
Tension inverse de crête répétitive : max. 85 V
Courant direct de crête répétitive : max. 500 mA.
Applications
Commutation ultrarapide dans les circuits à montage en surface.
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