Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor, Simple, 150 mA 100 V, 2 broches, DO-35
- Code commande RS:
- 146-2253
- Référence fabricant:
- 1N4148 A0
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Sous-total (1 ruban de 5000 unités)*
60,00 €
HT
70,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 10 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 18 novembre 2026
- Plus 25 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 17 février 2027
- Plus 5 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 31 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,012 € | 60,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 146-2253
- Référence fabricant:
- 1N4148 A0
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Courant direct maximum If | 150mA | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | DO-35 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 100V | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2A | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.08mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Courant direct maximum If 150mA | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier DO-35 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 100V | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2A | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.08mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes de commutation petits signaux, Taiwan Semiconductor
Diodes et redresseurs, Taiwan Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 150 mA 100 V DO-35
- Jonction au silicium AEC-Q101 Fairchild Semiconductor 400 mA 100 V DO-35
- Diode à faibles signaux Taiwan Semiconductor Usage général Simple 4 ns, 150 mA Traversant 2 broches DO-35
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 3 A 200 V DO-214AA
- Diode Taiwan Semiconductor Redresseur à recouvrement Simple 35 ns, 6 A Traversant 2 broches DO-201AD
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 3 A 500 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 2 A 200 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 2 A 600 V DO-214AC