Jonction au silicium Non Nexperia, Simple, 200 mA 120 V, 3 broches, SOT-23
- Code commande RS:
- 166-3065
- Référence fabricant:
- BAS19
- Marque:
- Nexperia
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-3065
- Référence fabricant:
- BAS19
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 200mA | |
| Type de montage | En surface | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250mW | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Tension directe maximale Vf | 1.25V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 120V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2.5A | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Série | BAS19 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 200mA | ||
Type de montage En surface | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250mW | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Tension directe maximale Vf 1.25V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 120V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2.5A | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 3mm | ||
Série BAS19 | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes de commutation petits signaux, Nexperia
Caractéristiques
Prend en charge les conceptions personnalisées de circuits à haute densité
Types à faible fuite et haute tension disponibles
Grandes vitesses de commutation
Capacité faible
Diodes et redresseurs
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