Jonction au silicium Non Vishay, Simple, 0.5 A 100 V, 2 broches, DO-213AA
- Code commande RS:
- 177-7605
- Référence fabricant:
- GL34B-E3/98
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 177-7605
- Référence fabricant:
- GL34B-E3/98
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Courant direct maximum If | 0.5A | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Surface | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | DO-213AA | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension directe maximale Vf | 1.2V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 100V | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 10A | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 1.5μs | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.68mm | |
| Largeur | 1.68 mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Diamètre | 1.676 mm | |
| Longueur | 3.68mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Courant direct maximum If 0.5A | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Type de montage Surface | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier DO-213AA | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension directe maximale Vf 1.2V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 100V | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 10A | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 1.5μs | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.68mm | ||
Largeur 1.68 mm | ||
Normes/homologations No | ||
Diamètre 1.676 mm | ||
Longueur 3.68mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Redresseur en plastique à commutation rapide à jonction passivée en verre
Fonctionnalités
Structure de superredresseur pour des conditions de fiabilité élevées
• Jonction passivée au verre sans cavité
Commutation rapide pour un haut rendement
• Faible courant de fuite, IR typique inférieur à 0,2 μA
• Capacité de surtension élevée
• Souder à 275 °C pendant 10 s max., conformément à la norme JESD 22-B106
Applications types
Rectification haute tension de grille G2 CRT et TV, snubber
Circuit de la mémoire Flash de l'appareil photo.
Données mécaniques
Boîtier : DO-204AL, époxy moulé sur corps en verre
La pâte de moulage est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94 V-0
Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale
Bornes : cordons étamés mat, soudables par
J-STD-002 et JESD 22-B102
Le suffixe E3 est conforme au test de chuchotement JESD 201 classe 1A.
Polarité : la bande de couleur indique l'extrémité de la cathode
Diodes et redresseurs, Vishay Semiconductor
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