Jonction au silicium AEC-Q101 Vishay, Simple, 300 mA 50 V, 2 broches, SOD-80
- Code commande RS:
- 180-6986
- Référence fabricant:
- LL4151-GS08
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 2500 unités)*
115,00 €
HT
137,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 7 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,046 € | 115,00 € |
| 5000 - 10000 | 0,043 € | 107,50 € |
| 12500 + | 0,041 € | 102,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-6986
- Référence fabricant:
- LL4151-GS08
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 300mA | |
| Type de montage | En surface | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | SOD-80 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2A | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 50V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Diamètre | 1.6mm | |
| Largeur | 1.6mm | |
| Série | LL4151 | |
| Longueur | 1.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 3.7mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 300mA | ||
Type de montage En surface | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier SOD-80 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2A | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 50V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Diamètre 1.6mm | ||
Largeur 1.6mm | ||
Série LL4151 | ||
Longueur 1.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 3.7mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Diodes planaires épitaxiales au silicium
APPLICATIONS :
Commutations extrêmement rapides
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium AEC-Q101 Vishay 300 mA 50 V SOD-80
- Jonction au silicium Non Vishay 300 mA 75 V SOD-80
- Jonction au silicium Non Vishay 300 mA 25 V SOD-80
- Jonction au silicium AEC-Q101 Vishay 300 mA 75 V SOD-80
- Jonction au silicium Non Vishay 250 mA 50 V SOD-80
- Jonction au silicium Non Vishay 300 mA 50 V SOD-80
- Jonction au silicium Non Vishay 2 A 100 V SOD-80
- Jonction au silicium AEC-Q101 onsemi 300 mA 75 V SOD-523