Références fabricant

Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 300 mA 50 V, 2 broches, DO-35

Code commande RS:: 180-8179
Référence fabricant:: 1N4150TR
Marque:: Vishay

Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 300 mA 50 V, 2 broches, DO-35

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*

330,00 €

400,00 €

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En stock

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Unité	Prix par unité	la bobine*
10000 - 10000	0,033 €	330,00 €
20000 +	0,031 €	310,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-8179
Référence fabricant:: 1N4150TR
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	Diode de silicium
	Courant direct maximum If	300mA
	Configuration de diode	Diode à faibles signaux
	Sous type	Diode de silicium
	Type de montage	Traversant
	Type de Boitier	DO-35
	Nombre de broches	2
	Temps de recouvrement inverse crête trr	4ns
	Dissipation de puissance maximum Pd	500mW
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm	50V
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm	4A
	Tension directe maximale Vf	1V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	3.9mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1.7mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit Diode de silicium
	Courant direct maximum If 300mA
	Configuration de diode Diode à faibles signaux
	Sous type Diode de silicium
	Type de montage Traversant
	Type de Boitier DO-35
	Nombre de broches 2
	Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns
	Dissipation de puissance maximum Pd 500mW
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm 50V
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A
	Tension directe maximale Vf 1V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 3.9mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1.7mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Diode de commutation Vishay

La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 50 V inverse et d'un courant inverse de 100 nA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 200 mA et d'une tension directe de 1 V.

Caractéristiques et avantages

Capacité de courant direct élevé

Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium

• Faible chute de tension directe

Le type de marquage est 1N4150

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -65 et 175 °C.

• La dissipation de puissance est de 500 mW

• Le temps de récupération est de 4 ns

• Type à montage traversant

Applications

• Dispositifs de commutation rapide

• Utilisation générale dans les ordinateurs

• Applications industrielles

• Microcontrôleurs

Certifications

AEC-Q101

Certifié de niveau E3