Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 300 mA 50 V, 2 broches, DO-35
- Code commande RS:
- 180-8179
- Référence fabricant:
- 1N4150TR
- Marque:
- Vishay
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|---|---|---|
| 10000 - 10000 | 0,066 € | 660,00 € |
| 20000 + | 0,063 € | 630,00 € |
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- Code commande RS:
- 180-8179
- Référence fabricant:
- 1N4150TR
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | Diode de silicium | |
| Courant direct maximum If | 300mA | |
| Configuration de diode | Diode à faibles signaux | |
| Sous type | Diode de silicium | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | DO-35 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 50V | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 3.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit Diode de silicium | ||
Courant direct maximum If 300mA | ||
Configuration de diode Diode à faibles signaux | ||
Sous type Diode de silicium | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier DO-35 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 50V | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 3.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diode de commutation Vishay
La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 50 V inverse et d'un courant inverse de 100 nA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 200 mA et d'une tension directe de 1 V.
Caractéristiques et avantages
Capacité de courant direct élevé
Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium
• Faible chute de tension directe
Le type de marquage est 1N4150
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -65 et 175 °C.
• La dissipation de puissance est de 500 mW
• Le temps de récupération est de 4 ns
• Type à montage traversant
Applications
• Dispositifs de commutation rapide
• Utilisation générale dans les ordinateurs
• Applications industrielles
• Microcontrôleurs
Certifications
AEC-Q101
Certifié de niveau E3
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