Références fabricant

Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 300 mA 50 V, 2 broches, DO-35

Code commande RS:: 180-8179
Référence fabricant:: 1N4150TR
Marque:: Vishay

Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 300 mA 50 V, 2 broches, DO-35

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*

310,00 €

370,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
10000 - 10000	0,031 €	310,00 €
20000 +	0,029 €	290,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-8179
Référence fabricant:: 1N4150TR
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Configuration de diode	Diode à faibles signaux
	Type de produit	Diode de silicium
	Courant direct maximum If	300mA
	Sous type	Diode de silicium
	Type de montage	Traversant
	Type de Boitier	DO-35
	Nombre de broches	2
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension directe maximale Vf	1V
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm	50V
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm	4A
	Temps de recouvrement inverse crête trr	4ns
	Dissipation de puissance maximum Pd	500mW
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	1.7 mm
	Longueur	3.9mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1.7mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Configuration de diode Diode à faibles signaux
	Type de produit Diode de silicium
	Courant direct maximum If 300mA
	Sous type Diode de silicium
	Type de montage Traversant
	Type de Boitier DO-35
	Nombre de broches 2
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension directe maximale Vf 1V
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm 50V
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A
	Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns
	Dissipation de puissance maximum Pd 500mW
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 1.7 mm
	Longueur 3.9mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1.7mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Diode de commutation Vishay

La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 50 V inverse et d'un courant inverse de 100 nA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 200 mA et d'une tension directe de 1 V.

Caractéristiques et avantages

Capacité de courant direct élevé

Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium

• Faible chute de tension directe

Le type de marquage est 1N4150

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -65 et 175 °C.

• La dissipation de puissance est de 500 mW

• Le temps de récupération est de 4 ns

• Type à montage traversant

Applications

• Dispositifs de commutation rapide

• Utilisation générale dans les ordinateurs

• Applications industrielles

• Microcontrôleurs

Certifications

AEC-Q101

Certifié de niveau E3