Diode de commutation, 300mA, 50V, DO-35, 2 broches
- Code commande RS:
- 180-8609
- Référence fabricant:
- 1N4150TR
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (par multiple de 200)
0,088 €
HT
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TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 200 - 800 | 0,088 € | 17,60 € |
| 1000 - 1800 | 0,079 € | 15,80 € |
| 2000 - 4800 | 0,066 € | 13,20 € |
| 5000 - 9800 | 0,048 € | 9,60 € |
| 10000 + | 0,044 € | 8,80 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 180-8609
- Référence fabricant:
- 1N4150TR
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Diode de commutation Vishay
La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 50 V inverse et d'un courant inverse de 100 nA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 200 mA et d'une tension directe de 1 V.
Caractéristiques et avantages
Capacité de courant direct élevé
Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium
• Faible chute de tension directe
Le type de marquage est 1N4150
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -65 et 175 °C.
• La dissipation de puissance est de 500 mW
• Le temps de récupération est de 4 ns
• Type à montage traversant
Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium
• Faible chute de tension directe
Le type de marquage est 1N4150
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -65 et 175 °C.
• La dissipation de puissance est de 500 mW
• Le temps de récupération est de 4 ns
• Type à montage traversant
Applications
• Dispositifs de commutation rapide
• Utilisation générale dans les ordinateurs
• Applications industrielles
• Microcontrôleurs
• Utilisation générale dans les ordinateurs
• Applications industrielles
• Microcontrôleurs
Certifications
AEC-Q101
Certifié de niveau E3
Certifié de niveau E3
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant direct maximum | 300mA |
| Type de montage | Traversant |
| Tension inverse maximum | 50V |
| Type de boîtier | DO-35 |
| Technologie de diode | Diode de silicium |
| Nombre de broches | 2 |