Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 300 mA 75 V, 2 broches, DO-35
- Code commande RS:
- 180-8181
- Référence fabricant:
- 1N4448TR
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-8181
- Référence fabricant:
- 1N4448TR
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Configuration de diode | Diode à faibles signaux | |
| Courant direct maximum If | 300mA | |
| Type de produit | Diode de silicium | |
| Sous type | Diode de silicium | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | DO-35 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 75V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2A | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 3.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.7mm | |
| Hauteur | 1.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Configuration de diode Diode à faibles signaux | ||
Courant direct maximum If 300mA | ||
Type de produit Diode de silicium | ||
Sous type Diode de silicium | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier DO-35 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 75V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2A | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 3.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.7mm | ||
Hauteur 1.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Diode de commutation Vishay
La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 100 V inverse et d'un courant inverse de 5 μA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 100 mA et d'une tension directe de 1 V.
Caractéristiques et avantages
Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium
Le type de marquage est V4448
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -65 et 175 °C.
• La dissipation de puissance est de 500 mW
• Le temps de récupération est de 4 ns
• Type à montage traversant
Applications
• Dispositifs de commutation rapide
• Microcontrôleurs
Certifications
AEC-Q101
Certifié de niveau E2
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