Diode de silicium Non Vishay, Simple, 300 mA 75 V, 3 broches, SOT-23
- Code commande RS:
- 180-8199
- Référence fabricant:
- BAS16-HE3-08
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
93,00 €
HT
111,00 €
TTC
Ajouter 3000 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Dernier stock RS
- 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,031 € | 93,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-8199
- Référence fabricant:
- BAS16-HE3-08
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 300mA | |
| Type de produit | Diode de silicium | |
| Type de montage | Surface | |
| Sous type | Diode de silicium | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 6ns | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 75V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 1A | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.1mm | |
| Largeur | 2.6 mm | |
| Hauteur | 1.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 300mA | ||
Type de produit Diode de silicium | ||
Type de montage Surface | ||
Sous type Diode de silicium | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 6ns | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 75V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 1A | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.1mm | ||
Largeur 2.6 mm | ||
Hauteur 1.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La diode de commutation rapide à petit signal Vishay est dotée de 3 broches et de la technologie de diode en silicone avec un courant direct maximum de 300 mA.
Diode planaire épitaxiale au silicium
Vitesse de commutation ultrarapide
Boîtier à montage en surface parfaitement adapté pour l'insertion automatique
Conductance élevée
Certifié AEC-Q101
Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale
Base P/N-HE3 - conforme à la directive RoHS, homologation AEC-Q101