Diode de silicium Non Vishay, Simple, 300 mA 75 V, 3 broches, SOT-23

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Unité
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100 - 9000,062 €6,20 €
1000 - 24000,038 €3,80 €
2500 - 49000,031 €3,10 €
5000 - 99000,028 €2,80 €
10000 +0,025 €2,50 €

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
180-8607
Référence fabricant:
BAS16-HE3-08
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

Diode de silicium

Configuration de diode

Simple

Courant direct maximum If

300mA

Sous type

Diode de silicium

Type de montage

En surface

Type de Boitier

SOT-23

Nombre de broches

3

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

75V

Dissipation de puissance maximum Pd

500mW

Tension directe maximale Vf

1V

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

1A

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Temps de recouvrement inverse crête trr

6ns

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

2.6mm

Hauteur

1.15mm

Longueur

3.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
La diode de commutation rapide à petit signal Vishay est dotée de 3 broches et de la technologie de diode en silicone avec un courant direct maximum de 300 mA.

Diode planaire épitaxiale au silicium

Vitesse de commutation ultrarapide

Boîtier à montage en surface parfaitement adapté pour l'insertion automatique

Conductance élevée

Certifié AEC-Q101

Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale

Base P/N-HE3 - conforme à la directive RoHS, homologation AEC-Q101

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