Diode de silicium Non Vishay, Simple, 300 mA 75 V, 3 broches, SOT-23

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100 - 9000,071 €7,10 €
1000 - 24000,043 €4,30 €
2500 - 49000,035 €3,50 €
5000 - 99000,032 €3,20 €
10000 +0,028 €2,80 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
180-8607
Référence fabricant:
BAS16-HE3-08
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Configuration de diode

Simple

Type de produit

Diode de silicium

Courant direct maximum If

300mA

Sous type

Diode de silicium

Type de montage

Surface

Type de Boitier

SOT-23

Nombre de broches

3

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

1A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

75V

Tension directe maximale Vf

1V

Dissipation de puissance maximum Pd

500mW

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Temps de recouvrement inverse crête trr

6ns

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1.15mm

Longueur

3.1mm

Largeur

2.6 mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
La diode de commutation rapide à petit signal Vishay est dotée de 3 broches et de la technologie de diode en silicone avec un courant direct maximum de 300 mA.

Diode planaire épitaxiale au silicium

Vitesse de commutation ultrarapide

Boîtier à montage en surface parfaitement adapté pour l'insertion automatique

Conductance élevée

Certifié AEC-Q101

Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale

Base P/N-HE3 - conforme à la directive RoHS, homologation AEC-Q101

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