Diode de silicium Non Vishay, Simple, 250 mA 150 V, 2 broches, SOD-123

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Code commande RS:
180-8211
Référence fabricant:
BAV20W-E3-08
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Courant direct maximum If

250mA

Configuration de diode

Simple

Type de produit

Diode de silicium

Sous type

Diode de silicium

Type de montage

Surface

Type de Boitier

SOD-123

Nombre de broches

2

Dissipation de puissance maximum Pd

250mW

Temps de recouvrement inverse crête trr

50ns

Tension directe maximale Vf

1V

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

2.5A

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

150V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1.35mm

Longueur

3.85mm

Largeur

1.7 mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Diode de commutation Vishay


La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 200 V inverse et d'un courant inverse de 100 nA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 200 mA et d'une tension directe de 1,25 V.

Caractéristiques et avantages


Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium

Le type de marquage est A9

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

• La dissipation de puissance est de 410 mW

Le temps de récupération est de 50 ns

Dispositif de boîtier à montage en surface

Applications


• Applications générales

Certifications


AEC-Q101

Certifié de niveau E3

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