Diode de silicium Non Vishay, Simple, 250 mA 150 V, 2 broches, SOD-123
- RS Stock No.:
- 180-8746
- Mfr. Part No.:
- BAV20W-E3-08
- Brand:
- Vishay
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*price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8746
- Mfr. Part No.:
- BAV20W-E3-08
- Brand:
- Vishay
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | Diode de silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 250mA | |
| Type de montage | Surface | |
| Sous type | Diode de silicium | |
| Type de Boitier | SOD-123 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 150V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2.5A | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 50ns | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250mW | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.85mm | |
| Largeur | 1.7 mm | |
| Hauteur | 1.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit Diode de silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 250mA | ||
Type de montage Surface | ||
Sous type Diode de silicium | ||
Type de Boitier SOD-123 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 150V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2.5A | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 50ns | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250mW | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.85mm | ||
Largeur 1.7 mm | ||
Hauteur 1.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Diode de commutation Vishay
La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 200 V inverse et d'un courant inverse de 100 nA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 200 mA et d'une tension directe de 1,25 V.
Caractéristiques et avantages
Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium
Le type de marquage est A9
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
• La dissipation de puissance est de 410 mW
Le temps de récupération est de 50 ns
Dispositif de boîtier à montage en surface
Applications
• Applications générales
Certifications
AEC-Q101
Certifié de niveau E3