Diode de silicium Non Vishay, Simple, 250 mA 150 V, 2 broches, SOD-123
- Code commande RS:
- 180-8746
- Référence fabricant:
- BAV20W-E3-08
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
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7,30 €
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En voie de retrait du marché
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 - 900 | 0,073 € | 7,30 € |
| 1000 - 2400 | 0,069 € | 6,90 € |
| 2500 - 4900 | 0,066 € | 6,60 € |
| 5000 - 9900 | 0,048 € | 4,80 € |
| 10000 + | 0,033 € | 3,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-8746
- Référence fabricant:
- BAV20W-E3-08
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode de silicium | |
| Courant direct maximum If | 250mA | |
| Type de montage | Surface | |
| Sous type | Diode de silicium | |
| Type de Boitier | SOD-123 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2.5A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 150V | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250mW | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 50ns | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.85mm | |
| Largeur | 1.7 mm | |
| Hauteur | 1.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode de silicium | ||
Courant direct maximum If 250mA | ||
Type de montage Surface | ||
Sous type Diode de silicium | ||
Type de Boitier SOD-123 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2.5A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 150V | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250mW | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 50ns | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.85mm | ||
Largeur 1.7 mm | ||
Hauteur 1.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Diode de commutation Vishay
La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 200 V inverse et d'un courant inverse de 100 nA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 200 mA et d'une tension directe de 1,25 V.
Caractéristiques et avantages
Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium
Le type de marquage est A9
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
• La dissipation de puissance est de 410 mW
Le temps de récupération est de 50 ns
Dispositif de boîtier à montage en surface
Applications
• Applications générales
Certifications
AEC-Q101
Certifié de niveau E3