Schottky SiC Non Power Integrations, Simple, 12 A 600 V, 2 broches, TO-220
- Code commande RS:
- 231-8073
- Référence fabricant:
- QH12TZ600Q
- Marque:
- Power Integrations
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 231-8073
- Référence fabricant:
- QH12TZ600Q
- Marque:
- Power Integrations
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Power Integrations | |
| Courant direct maximum If | 12A | |
| Type de produit | Schottky SiC | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Schottky SiC | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 20.5ns | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 61mW | |
| Tension directe maximale Vf | 3.1V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 600V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 100A | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Largeur | 4.7 mm | |
| Hauteur | 30.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Power Integrations | ||
Courant direct maximum If 12A | ||
Type de produit Schottky SiC | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Schottky SiC | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 20.5ns | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 61mW | ||
Tension directe maximale Vf 3.1V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 600V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 100A | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Largeur 4.7 mm | ||
Hauteur 30.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
La diode de remplacement SiC QSPEED série H Power Integrations est dotée du QRR le plus faible de toute diode silicium de 600 V. Ses caractéristiques de récupération augmentent le rendement, réduisent les IEM et éliminent les snubbers. Il remplace les diodes SiC pour des performances de rendement similaires dans les applications à haute fréquence de commutation.
Caractéristiques et avantages
Faible QRR, faible IRRM, faible TRR
Haute capacité dIF/dt (1 000 A/μs)
Récupération souple
Certifié AEC-Q101
FAB, assemblage et test certifiés IATF 16949
Elimine le besoin de circuits snubber
Réduit la taille et le nombre de composants du filtre IEM
Permet une commutation extrêmement rapide
Applications
Diode boost de correction du facteur de puissance dans le chargeur intégré
Redresseur de sortie de chargeur intégré