Jonction au silicium Non Toshiba, Série, 300 mA 85 V, 3 broches, SC-59
- Code commande RS:
- 540-5668
- Référence fabricant:
- 1SS226(TE85L,F)
- Marque:
- Toshiba
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
0,41 €
HT
0,49 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 4 090 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | 0,082 € | 0,41 € |
| 200 + | 0,07 € | 0,35 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 540-5668
- Référence fabricant:
- 1SS226(TE85L,F)
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Série | |
| Courant direct maximum If | 300mA | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SC-59 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150mW | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 85V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe maximale Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Largeur | 1.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Série | ||
Courant direct maximum If 300mA | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SC-59 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150mW | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 85V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe maximale Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.9mm | ||
Largeur 1.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- JP
Diodes de redressement à usage général, Toshiba
Diodes et redresseurs, Toshiba
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Toshiba 300 mA 85 V SC-59
- Jonction au silicium Non Toshiba 300 mA 85 V SC-59
- Diode de commutation Non Toshiba 300 mA 85 V SOT-346 (SC-59)
- Diode Toshiba Commutation Cathode commune 4 ns, 300 mA En surface 3 broches SC-59AEC-Q101
- Diode de commutation Toshiba 3 broches, SOT-346 (SC-59)
- Diode de commutation Non Toshiba 300 mA 80 V SOT-346 (SC-59)
- Diode Toshiba Diode Schottky Série , 100 mA En surface 3 broches SC-59
- Diode Toshiba Diode Schottky Cathode commune , 50 mA En surface 3 broches SC-59