Jonction au silicium Non onsemi, Cathode commune, 200 mA 100 V, 3 broches, SOT-23
- Code commande RS:
- 545-2670
- Référence fabricant:
- BAV70LT1G
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 3000 unités)*
69,00 €
HT
84,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 12 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 10 juin 2026
- Plus 24 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 24 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | 0,023 € | 69,00 € |
| 15000 + | 0,021 € | 63,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 545-2670
- Référence fabricant:
- BAV70LT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Courant direct maximum If | 200mA | |
| Configuration de diode | Cathode commune | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 225mW | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 500mA | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 100V | |
| Tension directe maximale Vf | 1.25V | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 6ns | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 0.94mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Courant direct maximum If 200mA | ||
Configuration de diode Cathode commune | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 225mW | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 500mA | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 100V | ||
Tension directe maximale Vf 1.25V | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 6ns | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 0.94mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes de commutation petits signaux, ON Semiconductor
Standards
Les produits dont le préfixe de la référence fabricant commence par S- sont certifiés AEC-Q101 pour l'automobile.
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non onsemi 200 mA 100 V SOT-23
- Jonction au silicium Non onsemi 400 mA 250 V SOT-23
- Jonction au silicium Non Nexperia 225 mA 200 V SOT-23
- Diode onsemi Petit signaux Cathode commune 4 ns, 200 mA Surface 3 broches SOT-23
- Jonction au silicium Non Vishay 250 mA 70 V SOT-23
- Jonction au silicium Non onsemi 6 A 200 V TO-252
- Jonction au silicium Non onsemi 18 A 200 V TO-263
- Jonction au silicium Non onsemi 200 mA 200 V SOT-23