Diode à faibles signaux Non Taiwan Semiconductor, Simple, 200 mA 250 mV, 2 broches, DO-35
- Code commande RS:
- 796-9650
- Référence fabricant:
- BAV21 R0
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 796-9650
- Référence fabricant:
- BAV21 R0
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Courant direct maximum If | 200mA | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode à faibles signaux | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | DO-35 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 50ns | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 250mV | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Tension directe maximale Vf | 1.25V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Hauteur | 2.28mm | |
| Longueur | 5.08mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Courant direct maximum If 200mA | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode à faibles signaux | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier DO-35 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 50ns | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 250mV | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Tension directe maximale Vf 1.25V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Hauteur 2.28mm | ||
Longueur 5.08mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
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