Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor, Série, 150 mA 85 V, 3 broches, SC-70
- Code commande RS:
- 796-9666
- Référence fabricant:
- BAV99W RF
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 250 unités)*
5,00 €
HT
5,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 2 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 250 - 1000 | 0,02 € | 5,00 € |
| 1250 + | 0,019 € | 4,75 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 796-9666
- Référence fabricant:
- BAV99W RF
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Courant direct maximum If | 150mA | |
| Configuration de diode | Série | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | SC-70 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200mW | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 85V | |
| Tension directe maximale Vf | 1.25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Courant direct maximum If 150mA | ||
Configuration de diode Série | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier SC-70 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200mW | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 85V | ||
Tension directe maximale Vf 1.25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes de commutation petits signaux, Taiwan Semiconductor
Diodes et redresseurs, Taiwan Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 150 mA 85 V SC-70
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 200 mA 70 mV SOT-23
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 150 A 100 V MiniMELF
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 150 mA 100 V DO-35
- Diode Taiwan Semiconductor Diode Schottky Série 5 ns, 70 mA Surface 3 broches SOT-23
- Jonction au silicium Non DiodesZetex 160 mA 85 V SC-70
- Diode Taiwan Semiconductor Diode Schottky Cathode commune 5 ns, 70 mA Surface 3 broches SOT-23
- Jonction au silicium Non onsemi 150 mA 80 V SC-70